ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ВЫХОДНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ (26-34)

Архив в PDF формате
Дата публикации статьи в журнале: 2020/06/11
Название журнала: Восточно Европейский Научный Журнал, Выпуск: 57, Том: 3, Страницы в выпуске: 26-34
Автор: Чермалых Александр Валентинович
, Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского , к.т.н., доц
Автор: Мугенов Даниил Джалильевич
, Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского , аспирант кафедры автоматизации управления электротехническими комплексами
Анотация: Рассмотрено влияние радиационного излучения на работу мостового крана хранилища ядерных отходов. Обнаружено, что наиболее чувствительными к ионизирующему излучению являются полупроводниковые приборы в составе системы электропривода. Изучено изменение параметров каждого из силовых полупроводниковых приборов преобразователя частоты со звеном постоянного тока от поглощённой дозы ионизирующего излучения. Для этого проведен анализ литературных источников по теоретическим и экспериментальным исследованиям. На основании схемы силового канала преобразователя частоты записаны уравнения электрического равновесия с учётом чувствительных к радиации параметров. Для количественной оценки влияния радиации получена математическая модель зависимости параметров выходного напряжения полупроводникового преобразователя электрической энергии от поглощённой дозы ионизирующего излучения. Построены графики зависимостей радиационно-чувствительных параметров полупроводниковых приборов от поглощённой дозы. Введено понятие радиационного динамического сопротивления для оценки поведения канала коллектор-эмиттер биполярного транзистора с изолированным затвором. Определены элементы, радиационное изменение параметров которых наиболее критично сказывается на работе системы. Получена зависимость выходного напряжения преобразователя частоты от величины поглощённой дозы ионизирующего излучения.
Ключевые слова: радиация   ионизирующее излучение   электропривод   преобразователь частоты   диод   транзистор   оптрон   оптрон  
Данные для цитирования: Чермалых Александр Валентинович , Мугенов Даниил Джалильевич, . ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ВЫХОДНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ЧАСТОТЫ (26-34). Восточно Европейский Научный Журнал. Технические науки. 2020/06/11; 57(3):26-34.

Список литературы: 1. Светлаков В.А.,Пронькин И.Г., Бельков А.М. Модернизация источника вторичного электропитания для бортовой аппаратуры заказов серии «СОЮЗ» // Вестник ЮУрГУ. Серия «Компьютерные технологии, управление, радиоэлектроника». 2018. Т. 18, № 1. С. 47–55. [Svetlakov V.A.,Pron'kin I.G., Bel'kov A.M., Modernizacija istochnika vtorichnogo jelektropitanija dlja bortovoj apparatury zakazov serii «SOJuZ» // Vestnik JuUrGU. Serija «Komp'juternye tehnologii, upravlenie, radiojelektronika». 2018. vol. 18, (1). p. 47–55. (In Russ).] https://doi.org/10.14529/ctcr180105 2. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов: учебное пособие по дисциплине «Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и радиоэлектронных устройств», М., 2001. [Vologdin Je.N., Lysenko A.P. Radiacionnye jeffekty v nekotoryh klassah poluprovodnikovyh priborov: uchebnoe posobie po discipline «Radiacionnaja stojkost' poluprovodnikovyh priborov i radiojelektronnyh ustrojstv», M., 2001. (In Russ).] 3. Melikyan V., Hovsepyan A., Harutyunyan T. Schematic Protection Method from Influence of Total Ionization Dose Effects on Threshold Voltage of MOS Transistors. 2010 East-West Design & Test Symposium. https://doi.org/10.1109/ewdts.2010.5742096 4. Srour J.R., McGarrity J.M. Radiation effects on microelectronics in space. United States: N. p., 1988. https://doi.org/10.1109/5.90114 5. Nagaraj Sh., Singh V., Jayanna H.S., et al. 60Co-Gamma Ray Induced Total Dose Effects on PChannel MOSFETs Indian Journal of Materials Science Vol. 2013, Article ID 465905, 5 pages. http://dx.doi.org/10.1155/2013/465905 6. Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Радиационная стойкость биполярных транзисторов: учебное пособие по дисциплине «Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и радиоэлектронных устройств», М., 2000. [Vologdin Je.N., Lysenko A.P. Radiacionnaja stojkost' bipoljarnyh tranzistorov: uchebnoe posobie po discipline «Radiacionnaja stojkost' poluprovodnikovyh priborov i radiojelektronnyh ustrojstv», M., 2000. (In Russ).] 7. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах // Мн., «Наука и техника», 1978. [Korshunov F.P., Gatal'skij G.V., Ivanov G.M. Radiacionnye jeffekty v poluprovodnikovyh priborah // Mn., «Nauka i tehnika», 1978. (In Russ).] 8. LaBel K.A., Kniffin S.D., Reed R.A. et al. A Compendium of Recent Optocoupler Radiation Test Data. 2000 IEEE Radiation Effects Data Workshop. Workshop Record. Held in conjunction with IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference (Cat. No.00TH8527). https://doi.org/10.1109/redw.2000.896280 9. Johnston A.H. The Effects of Space Radiation on Optocouplers. California Institute of Technology, Jet Propulsion Laboratory; California Institute of Technology, Pasadena, California; USA- 91 109. 10. Роках А.Г. Действие ионизирующих излучений на полупроводниковые материалы и приборы: конспект лекций по курсам «Действие ионизирующих излучений на полупроводниковые материалы и структуры» и «Действие ионизирующих излучений на полупроводниковые приборы», Саратов: СГУ, 60 с. [Rokah A.G. Dejstvie ionizirujushhih izluchenij na poluprovodnikovye materialy i pribory: konspekt lekcij po kursam «Dejstvie ionizirujushhih izluchenij na poluprovodnikovye materialy i struktury» i «Dejstvie ionizirujushhih izluchenij na poluprovodnikovye pribory», Saratov: SGU, 60 p. (In Russ).] 11. Севин Л. Полевые транзисторы. М., «Советское радио», 1968. [Sevin L. Polevye tranzistory. M., «Sovetskoe radio», 1968. (In Russ).]